Descripción
Este módulo de memoria de próxima generación funciona con solo 1,1 V, lo que lo hace un 8% más energéticamente eficiente que DDR4. Además, cuenta con un IC de administración de energía (PMIC) integrado para mejorar la estabilidad de la fuente de alimentación.
La arquitectura de este módulo de memoria permite más grupos de bancos y bancos de memoria. Con la misma área, se pueden empaquetar más grupos de bancos en el módulo, duplicando lo que era posible con DDR4, proporcionándole mayores capacidades.
Con el código de corrección de errores (ECC), este módulo puede corregir errores automáticamente en tiempo real. Además de reducir en gran medida la carga de los cálculos de la CPU, también proporciona una mayor estabilidad y fiabilidad para las computadoras de clase empresarial.
- Factor de forma – SO-DIMM
- Capacidad – 16 GB
- Velocidades – 4800 MT / s
- Latencias CAS – 40
- Voltaje de funcionamiento – 1,1V
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